By Prof. Dr. Heinz Beneking, Dr. Ulrich Langmann, Dipl.-Phys. Peter Lenz (auth.)
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Measurement of Minority Carrier Lifetimes with the Surface Photovoltage, J. Appl. : L effet photovoltaique de surface dans Ie silicium et son application a la mesure de la dure~ de vie des porteurs minoritaires, J. Phys. , Riccius, H. : Bestimmung der Diffusionslange in Halbleitern mit Hilfe des Oberfliichenphotoeffektes. : Radiative Lifetime in p-Type GaAs, J. Appl. , 36 (1965), 2815-2821 [ 82] Matar~, H. : Moderne Halbleiterlichtquellen, I. Elektr. Rundschau, 25 (1971), 1-7 - 56 - [ 83] Copeland, J.
425 und 1. 41 eV verlaufen sie unterschiedlich stark gekrummt. Hier macht sich besonders der Einflul3 unterschiedlicher Diffusionslangen bemerkbar. 425 eV verlaufen die Spektren fast horizontal oder nehmen wieder leicht zu . Dieser Bereich ist in Abb. 46 nicht eingetragen. Bei den entsprechenden WpIlenlangen werden fast aIle Ladungstrager in der Oberflachenraumladungsschicht erzeugt. 41 eV ist der Abfall der Spektren mit der Energie unterschiedlich: Bei Schicht 99 am gro13ten , bei Schicht 127 am kleinsten.
73J zeigen, dal3 sich aus Messungen der Lumineszenzintensitat als Funktion der Energie der Verlauf der Absorptionsfunktion unterhalb der Bandkantenenergie iiber Energieintervalle von wenige Zehntel eV ausrechnen lal3t. Dies ist nach [73J immer dann ein Ausweg, wenn sich die Absorption nicht direkt messen lal3t. Abb. 40 zeigt die bei den Experimenten verwendete Photolumineszenzmel3apparatur. Ahnliche Anordnungen, wie die hier gezeigten, werden iiblicherweise zu Photolumineszenzmessungen benutzt.