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By Prof. Dr.-Ing. habil. Horst-Dieter Tietz (auth.), Prof. Dr.-Ing. habil. Horst-Dieter Tietz (eds.)

Konstruktionskeramik und Werkstoffe mit keramischen Schichten stehen im Mittelpunkt des Buches. Die Eigenschaften der Massivkeramik, ihre Herstellung, Prüfung, das Verschleißverhalten, Berechnungsmethoden, Konstruktion und die Herstellung von Verbunden werden ebenso behandelt wie das Aufbringen keramischer Schichten.

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Sie sind nach der Formgebung in einem zeitaufwendigen ProzeJ3 (bis 200 Stunden bei 450°C) auszubrennen. Zusatze in Form einer Kombination hoch- und niedermolekularer Poly mere mit Wachs als Gleitmittel erlauben grOBere Wanddicken (> 10 mm) riBfrei auszubrennen. Die Ausbrennzeit kann auf rd. 10 Stunden bei nur 130°C gesenkt werden, wenn als Binder Polyoxymethylen im Gemisch mit Polyethylenglykol verwendet wird, das sich in saurehaltiger Atmosphiire zersetzt. Eine einfache Art der Formgebung ist durch das Pressen zu erzielen, das vor dem Sintem als Kaltpressen durchgefiihrt wird.

B. fur Kol~enbOden. Die Stabilisatoren setzen die chemische Bestandigkeit herab, erhOhen die Kriechneigung und die Warmedehnung. Weitere Anwendungen sind PreBmatrizen und Schneidkorper. Wegen des etwa gleich groBen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie Stahl findet Zr02 als gespritzter Schichtwerkstoff ein breites Anwendungsfeld. 3 Siliziumnitrid Siliziumnitrid kommt in den beiden hexagonalen Modifikationen a-Si3N4 und f3-Si3N4 vor. Die c-Achse ist beim f3-Si3N4 nur etwa halb so lang wie beim a-Si3N4· 25 Die offenbar irreversible Umwandlung von {J-Si3N4 in a-Si 3N4 geht langsam vor sich, die Umwandlungstemperatur liegt oberhalb 1400°C.

RiBausbreitungskraft" FG Verwendung. Bei Kenntnis des Spannungs- und Verschiebungsfeldes an der RiBspitze kann FG berechnet werden. Fur den Fall der RiB6ffnung Mode I (normale Offnung des Risses) erhalt man: (2-1) G bezeichnet den Schubmodul. Fur K: 3 - 4 II 3- II 1+11 II ebener Verzerrungszustand (EVZ) ebener Spannungszustand (ESZ) bezeichnet die Querkontraktionszahl. 41 Der Koeffizient KI ist der die Singularitat des Spannungsfeldes in RiBspitzenumgebung kennzeichnende Spannungsintensitatsfaktor (SIF).

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